삼성전자 애썼다, 그래서 부탁한다

삼성전자가 또 큰일을 해냈다.

그래서 주문한다. 이 D램을 쓰면 빌딩 한 채를 쓰는 A.I 시스템 크기가 10% 줄어들고, 전기사용량 역시 30% 절약할 것이다. 즉 A.I.는 날로 발전하고 인간의 지능 H.I.는 결국  A.I에게 따라잡힐 것이다.(난 H.I.를 개발하느라 바쁘지만 A.I.를 꼭 이긴다고 장담할 수 없어 이렇게 부탁하는 것이다.)

사명감을 갖고 더 혁신적인 메모리장치를 개발하기 바란다. 광자든 DNA든 지금 각국의 경쟁자들이 D램 자체를 날려버릴 혁신메모리장치를 연구 중이다.

노키아가 스마트폰에 날아가고, 코닥이 디지털카메라에 날아갔다.

삼성은 미국과 일본의 D램 업체를 추월해 오늘의 그 자리에 있다. 그러니 그 정도는 중국이 곧 추격해온다는 사실을 잊지 말라. 

돈 많이 벌 때 연구비 많이 써서 지금의 그 지위를 굳건히 지키기 바란다. 그래서 우리 국민 위해 세금 좀 더 많이 내주시라. 달리는 말에 채찍질한다.

- 이재용 너무 걱정하지 말고, 없어도 아무 일 없잖아.

<삼성 ‘10나노급 2세대 D램’ 세계 첫 양산1세대 양산>

ㆍ21개월 만에, 생산성 30% 높이고 소비전력은 15% 줄여

삼성전자가 세계 최초로 10나노급 2세대 D램 양산에 돌입했다. D램은 사람의 뇌로 치면 단기기억장치에 해당하는데, 더 많은 정보를 저장하고 정보를 빨리 끄집어내는 기술이 경쟁력을 좌우한다. 이번 10나노급(1나노는 10억분의 1ｍ) 2세대 D램은 기존 1세대 대비 생산성을 30%가량 높이고, 데이터 처리 속도는 10% 빨라졌으나 소비전력은 15% 이상 줄인 제품이다. 삼성전자는 메모리 반도체 시장에서 경쟁사와 기술격차를 더욱 벌리는 초격차 전략을 통해 서버·모바일·슈퍼컴퓨터 등에 탑재되는 차세대 D램 시장을 장악한다는 계획이다. 

삼성전자는 “세계 최소 칩 사이즈의 10나노급 8기가비트 DDR4 D램을 지난달부터 양산하고 있다”며 “획기적인 공정 기술을 통해 1세대 10나노급 양산 21개월 만에 2세대 10나노 D램 시대를 열게 됐다”고 20일 밝혔다. 

삼성전자는 초고속·초절전·초소형 회로 설계로 값비싼 차세대 극자외선 노광기(반도체 웨이퍼에 회로를 그려주는 장비)를 사용하지 않고도 10나노급 미세한 회로를 그리는 데 성공해 1세대보다 생산성을 약 30% 높였다고 밝혔다. 

초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계 기술을 통해 셀에 저장된 데이터를 더욱 정밀하게 확인하고 셀 데이터 읽기 특성을 2배 이상 향상시켰다. 전류가 흐르는 ‘비트라인(bit line)’ 주변의 미세 영역을 절연 효과가 뛰어난 공기로 채우는 에어 갭 공정 기술도 적용됐다. 비트라인 주변에서 발생하는 불필요한 전하량을 최소화해 초고감도 셀 개발이 가능하고 셀 배열의 집적도를 향상시켜 칩 크기를 대폭 줄일 수 있게 된 것이다. 

진교영 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 “발상을 전환한 혁신적 기술 개발로 반도체의 미세화 기술 한계를 돌파했다”며 “프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환해 초격차 경쟁력을 더 강화하겠다”고 말했다.